Яцунский Игорь Ростиславович – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики, заместитель декана физического факультета по учебной работе.


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Яцунский

Игорь

Ростиславович



кандидат

физико
-
математических

наук
,
доцент

кафедры

экспериментальной

физики
,
заместитель декана физического факультета
по учебной работе
.

Специалист

в

области

физики

полупроводников

и

диэлектриков
.

Родился

30
октября

1982
г
.
В

2005
году

окончил

физиче
ский

факультет

Одесского

националь
ного

университета

имени

И
.
И
.
Мечникова

с

отличием
.
В

2008
году

окончил

аспирантуру

и

в

2009
получил

степень

-
кандидата

физико
-
математических

наук
.

Работает

на

кафедре

экспериментальной

физики

с

2008
г
.
старшим

преподава
телем
,
с

2010
доцентом
.


Читает

следующие
курс
ы
:

1.

Атомная

физика
.

2.

Медицинская механика и гемодинамика.

3.

Технология материалов полупроводниковой электроники.

4.

Ведет

практические

занятия

по

курсу

“Оптика”

и

лабораторные

занятия

по

оптике
.

5.

Ведет

занятие

по

компьютерным

методам

решения

физических

задач


Направления

научных

исследований
:

Исследование

пр
оцессов

дефектообразование

в

кремнии

и

полупроводниковых

структурах

на

основе

кремния
.
Математическое

моделирование

кинетических

процессов

в

полупроводниках

с

учетом

дефектной

структуры
.
Исследование

наноструктурированного

кремния
.




Основные

научные

публика
ции

(2005
-
2011)
:

1.

В
.
А
.
Сминтина
,
О
.
А
.
Кулініч
,
М
.
А
.
Глауберман
,
Г
.
Г
.
Чемересюк
,
І
.
Р
.

Яцунський
,
Моделювання

процесу

струмопереносу

в

реальних

структурах

метал



кремній

з

бар’єром

Шоткі

//
Фізика

і

хімія

твердого

тіла
.


2005.
-

Т
.6,


4.
-

С
. 656


660.

2.

O.A. K
ulinich, M.A. Glauberman, I.R. Yatsunskiy, G.G. Chemeresyuk,

Investigation
of the causes of silicon MOS


transistor parameters catastrophic

degradation //
Sensor Electronics and Microsystem Technologies.


2005.
-



1.
-

P.

85


89.

3.

В
.
А
.
Смынтына
,
О
.
А
.
Кулинич
,
М
.
А
.
Глауберман
,
Г
.
Г

Чемересюк
,
И
.
Р
.

Яцунский
,
Исследование

механизма

изменения

радиационной

чувствительности

дозиметров

поглощенной

дозы

ионизирующего

излучения

на

основе

структур

металл



диоксид

кремния



кремний

/ //
Сенсор
.
-

2005.
-



4

(17).


С
. 18


22.

4.

В
.
А
.
Смынтына
,
О
.
А
.
Кулинич
,
М
.
А
.
Глауберман
,
Г
.
Г
.
Чемересюк
,
И
.
Р
.

Яцунский
,
Влияние

дефектов

на

распределение

концентрации

легирующей

примеси

по

пластине

монокристаллического

кремния

//
Сенсор
.


2006.
-



3

(21).


С
. 19

23.

5.

O.A. Kulinich, V.A.

Smyntyna, M.A. Glauberman, G.G Chemeresyuk, I.R

Yatsunskiy, Process current flow modeling in metal


silicon structures //

Photoelectronics.


2006.


N. 15.


P. 84


88.

6.

В
.
А
.
Сминти
на
,
О
.
А
.
Кулініч
,
М
.
А
.
Глауберман
,
Г
.
Г
.
Чемересюк
,
Е
.
Т
.

Роговська
,
І
.
Р
.
Яцунський
,
Вплив

дефектів

на

розподіл

концентрації

легуючої

домішки

та

дефектоутворення

при

легуванні

кремнію

//
Фізика

і

хімія

твердого

тіла
.
-

2007.
-
Т
.8,

4.


С
. 698


702.

7.

В
.
А
.
Сминтина
,
І
.
Р
.
Яцунський
,
О
.
А
.
Кулініч
,
М
.
А
.
Глауберман
,

Порівняльний

аналіз

механізмів

дефектоутворення

в

кремнії

при

іонному

легуванні

та

оксидуванні

//
Фізика

і

хімія

твердого

тіла
.
-

2008.
-

Т
.9,

4


С
.

701


705.

8.

О
.
А
.
Кулинич
,
В
.
А
.
Смы
нтына
,
М
.
А
.
Глауберман
,
Г
.
Г
.
Чемересюк
,
И
.
Р
.

Яцунский
,
Влияние

исходных

дефектов

на

распределение

механических

напряжений

и

деформаций

при

окислении

кремния

//
Технология

и

конструирование

в

электронной

аппаратуре
.


2008.
-



5 (77).


С
.62


64.

9.

V.A. Smyntyna, O.A. Kulinich, M.A. Glauberman G.G Chtmeresyuk, I.R

Yatsunskiy,
The structure investigation of near


surface layers in silicon


dioxide

silicon
structure // Photoelectronics.


2008.


N. 17.


P. 61


63.

10.

V
.A. Smyntyna, O.A. Kulinich,

I.R. Iatsunskyi, I.A. Marchuk. Factors influencing the
yield stress of silic
on
// Photoelectronics.


20
10
.


N. 1
9
.


P.
120



12
3.

11.

Yatsunskiy I.R., Kulinich O.A. Complex destruction of near
-
surface silicon layers of
Si
-
SiO
2

structure // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and
Optoelectronics.


2010.

V.13, N.4.
-

P. 418
-
421.

12.

В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, О.В. Свірідова, І.О. Марчук,
Яцунський І.Р. Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурован
ого
кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію
//
Фізика і хімія твердого тіла.


Т.12, №1, 2011.


С. 101


104.

13.

Смынтына В.А., Кулинич О.А., Яцунский И.Р., Марчук И.А. Роль пластической
деформации в получении нанокремния // Технология и конструирование в
электронной аппаратуре.
-

№ 1(2).


2011. С. 22
-
24.

14.

V
.
A
.
Smyntyna
,
O
.
A
.
Kulinich
,
I
.
R
.
Iatsusnkyi
,
I
.
A
.
Marchuk
.
Influence of structural
defects on thermostability and radiation sensitivity of Si MOSFET dosimeters //
Radiation Measurements

46 (2011)
Р
. 1650
-
1653..

15.

Монография «Дефектообразование в слоистых системах кремний


диоксид
кремния». Кулинич О.А. Яцунский И.Р., Глауберман М.А. изд
-
во
Lambert
.


2011.



264
C.

16.

Монография «Влияние окисления на дефектообразование в легированном
кремнии». Яцунский И.Р., Кулинич О.А., Смы
нтына В.А.. изд
-
во
Lambert
.


2011.



188
C.

17.

Smyntyna V.A., Kulinich O.A., Iatsuns
kyi I.R., Marchuk I.A., Pavlenko N.N. Fractal
analysis of nanostructured silicon surfaces // Photoelectronics.

18.

Смынтына В.А., Кулинич О.А., Яцунский И.Р., Свиридова О.В., Марчук И.А.
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в
кон
тактах металл


кремний // Технология и конструирование в электронной
аппаратуре.
-

№ 5.


2011. С. 39
-
41.



Приложенные файлы

  • pdf 83624847
    Размер файла: 175 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий